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深圳市骊微电子科技有限公司
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PN8783 GaN快充芯片内部集成了电流模式控制器和高压启动�？橐约案咝阅蹽aN FET，专用于高性能的快速充电开关电源�！ �
PN8783根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-Lock Mode、PFM和Burst Mode，多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了开关变换器进入CCM模式工作，降低次级整流管的电压应力。频率调制技术和Sof-Driver技术充分保证系统的良好EMI表现。内置了线电压补偿�？�，提高了在全输入电压范围内的带载能力一致性�！ �
同时，PN8783芯片还提供了极为全面和性能优异的智能化�；すδ�，输出过压�；�、过温�；ご渭墩鞴芏搪繁；�、逐周期过流�；�、过载�；さ裙δ�。
PN8783芯片特性
■ 内置高压GaN FET和高压启动电路
■ 供电电压8.5~56V，适合宽输出电压应用
■ QR-Lock技术提高效率改善系统噪声
■ 空载待机功耗55mW@230VAc
■ 优异全面的�；すδ堋 �
■ 精确的过温�；�(OTP)
■ 输出过压�；ぁ �
■ 逐周期过流�；�(OCP)
■ 输出短路�；ぁ �
■ DMG电阻短路�；ぁ �
■ 次级整流管短路�；ぁ �
■ 过载�；�
封装/订购信息
典型电路图
应用领域
■ 手机充电器
■ 适配器
PN8783 GaN快充芯片内置700V GaN FET和高压启动电路，供电电压8.5~56V，搭配PN8307P典型应用于65W GaN高集成快充套片方案，更多PN8783芯片参数及应用资料请向芯朋微代理骊微电子申请。>>
