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- [ 12-30 03:02 ]N沟道mos管工作原理及n沟道mos管用途！
- 项目中最常用的为增强型mos管，可分为N沟道和P沟道两种，n沟道MOS管由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道，由于N沟道mos管其导通电阻小，且容易制造所以项目中大部分...
- [ 12-13 10:51 ]mos管和场效应管有什么区别？
- 场效应管（FET）分为MOS场效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）两大类，相对于MOS管来说，结型场效应管使用频率很低，所以提到结型管的频率也比较低，MOS管和场效应管倒是经常提到，给人一种误解，以为是同一种...
- [ 12-06 09:34 ]IR2104半桥驱动替代芯片ID7U603，ir2104芯片驱动原理！
- 电机驱动主要采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路，H 桥是一个典型的直流电机控制电路，由于它的电路外形酷似字母 H，故得名与H桥，4个开关组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠。要使电机运转，必须使对角线上的一对...
- [ 12-08 09:19 ]PN6811图腾无桥pfc控制芯片荣获“2022全球电子成就奖”
- 近日，由AspenCore主办的2022全球电子成就奖颁奖典礼在深圳隆重举行，会议聚集全球产业领袖，分享行业前瞻和趋势，芯朋微PN6811图腾柱无桥功率因数校正（PFC）控制芯片获评全球电子成就奖，年度电源管理/电压转换器...
- [ 11-04 11:12 ]逆变器mos管常用型号有那些？
- 逆变器主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成，广泛应用于光伏逆变器、车载逆变器、储能逆变器等领域，逆变器mos管的选择将直接影响逆变器的转换效率、安全性能、带负载适应性和稳定性，那么逆变器mos管常用型号有...
- [ 10-28 02:04 ]士兰微SiC功率器件生产线初步通线，首个SiC器件芯片投片成功！
- 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，是由杭州士兰微电子股份有限公司与与厦门半导体投资集团有限公司共同投资成立的，项目总投资约220亿元，规划建设两条12吋特色工艺晶圆生产线及一条化合物半导体器件生产线，10月...
- [ 10-25 02:17 ]常用低压mos管型号及选型！
- 士兰微常用低压mos管主要有Trench工艺LVMOS和SGT LVMOS两种工艺，Trench LVMOS，产品包括耐压30V-250V，额定电流10A-300A；主要封装有TO220、TO252、PDFN33、PDFN56、等多种封装。 常用低压mos管型号及选型（ Slian...
- [ 10-21 11:19 ]PN8162+PN8307H应用在公牛20W 2A1C快充飞碟插座
- 公牛20W 2A1C快充飞碟插座，因采用扁平圆盘造型设计，而被命名为飞碟插座，2a1c快充插座面板主控芯片采用芯朋微PN8162，次级同步整流芯片采用PN8307H，搭配天德钰FP6601AA和JD6606S两款快充协议芯片，每个接口都支...
- [ 10-20 10:19 ]p-mos管怎么选型，p型mos管选型表！
- p-mos管怎么选型，p型mos管选型主要是从封装类型、耐压、导通电阻等多个参数及不同的应用需求去选择，工程师在选择p-mos管时，一定要依据电路设计需求及MOS管工作场所来选取合适的MOS管，选择一款合适的p型mos管，...
- [ 10-20 10:20 ]5W-65W充电器电源芯片方案及选型！
- 充电器是将电压和频率固定不变的交流电变换为直流电的一种静止变流装置�？晌涞绲绯爻涞�，为蓄电装置提供能量，常用的有5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W等多种功率类型，充电器中的核心元器件为充电器电源芯...
- [ 10-14 09:51 ]锂电池mos管，30-40V低压mos系列!
- 锂电池作为目前市场上应用最为广泛的储能方式，给人们的生产生活带来了极大的舒适和便利，但锂电池经过长时间使用后，容量降低、内阻增大，长时间大内阻运行将导致电池发热严重，带来安全隐患，MOSFET作为锂电�；�...
- [ 09-16 11:00 ]SVF4N65/SVF7N65/SVF10N65/SVF12N65常用高压mos管参数！
- MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管，或称金属绝缘体半导体，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是中小功率应用领域的主流开关器件，广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、...
- [ 10-20 10:20 ]芯朋微20W~90W快充套片方案，亮相2022亚洲充电展！
- 2022亚洲充电展于8月16日至18日在深圳福田会展中心盛大举办，以产品展示行业交流为主，同时探索未来充电储能新方向的展会。芯朋微受邀参展，展位设在 A04~A06，带来了20W~90W快充套片方案以及多种功率高集成适配器...
- [ 08-12 09:20 ]合作共赢|骊微电子续签2022-2023年芯朋微代理！
- 芯朋微电子成立于2005年，于2020年7月登陆上交所科创板，是一家专业从事电源管理为主的模拟及数�；旌霞傻缏飞杓频母呖萍即葱缕笠�，销售模式以经销为主、直销为辅，产品覆盖面广、品类齐全，在中小功率多项产品率...
- [ 07-29 01:47 ]OB2281芯片替代料CR6889B，货源更稳定！
- 2021年以来电源芯片均出现了不同程度的涨价缺货，从一开始的缺货涨价交期延长，到后面的交期不定，有价未必有货，一货难求，缺货潮催化了各芯片间的相互代换，启辰微CR6889B不仅能代换OB2281、OB2273、还可以兼容SD...
- [ 07-01 09:37 ]一片晶圆可以生产多少芯片？
- 自受疫情影响，物联网、汽车电子等终端市场需求旺盛，全球8英寸晶圆代工产能都出现了产能满载的状态，产能持续吃紧，缺芯事件，可谓是人人皆知。 晶圆，由纯硅（Si）构成，硅晶圆是一种厚度大约在1mm(毫米)以下，呈...
- [ 06-24 09:55 ]viper12a替代芯片AP8012H pin to pin兼容不改PCB及外围参数
- 芯朋微基于自研高低压集成平台开发的 700V 单片集成电源芯片，成功进入家电领域，家电类芯片以进口替代为目标，打破了国外芯片企业在该领域的垄断，多款产品在性能上已经可比肩同类芯片水准，并且以更高的性价比逐...
- [ 06-17 11:11 ]IR4427替换芯片ID1127双低侧、大电流驱动，可完美代换！
- 近两年来，由于缺货和涨价等因素，很多厂商通过国产替代来解决项目缺料的问题，国产电机驱动芯片在电压耐压、电流驱动能力及抗静电、抗浪涌等可靠性方面都有不错的表现，ID1127双低侧、大电流驱动可兼容替代IR4427...
- [ 05-31 10:52 ]IR2304替代料ID5S609F1 600V半桥驱动芯片
- ID5S609F1 600V半桥驱动芯片浮动通道可用于驱动最高600V的N沟道MOSFET或IGBT，通断时间180ns/250ns。兼容ir2304驱动芯片，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器、全桥功率逆变器、...
- [ 05-20 09:51 ]30v mos管PKC26BB替代料SVG032R4NL5
- 目前国内主要以低端MOSFET产品为主，在中高端MOSFET器件中，主要依赖进口，国产替代空间广阔，士兰微 MOSFET可分为平面型、沟槽型、屏蔽栅型、超级结型，可实现进口MOS替代，广泛应用于移动电源、快充、无人 机、新...
