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30v mos管PKC26BB替代料SVG032R4NL5

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文章出处：骊微电子责任编辑：电源管理芯片人气：-发表时间：2022-05-20 09:51

　　目前国内主要以低端MOSFET产品为主，在中高端MOSFET器件中，主要依赖进口，国产替代空间广阔，士兰微 MOSFET可分为平面型、沟槽型、屏蔽栅型、超级结型，可实现进口MOS替代，广泛应用于移动电源、快充、无人机、新能源汽车等大量领域。

　　

　　30v mos管SVG032R4NL5 提供PDFN56封装，采用士兰的LVMOS工艺技术制造，具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量，和尼克森PKC26BB属于同一类型MOS，耐压、导通电阻、封装基本一致,可兼容替代尼克森PKC26BB。

　　

　　PKC26BB替代料SVG032R4NL5 30v mos管特点　　

　　■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ @Vcs=10V　　

　　■ 低栅极电荷　　

　　■ 低反向传输电容　　

　　■ 开关速度快　　

　　■ 提升了dv/dt能力　　

　　■ 100%雪崩测试　　

　　■ 无铅管脚镀层　　

　　■ 符合RoHS环保标准

　　

　　PKC26BB替代料SVG032R4NL5N关键特性参数

参数	参数值	单位
VDS	30	V
VGS	1.0-2.2	V
RDS(ON),max	2.4	mΩ
ID	100	A
Qg.typ	39	nC

　　

　　PKC26BB替代料SVG032R4NL5 30v mos管具有100A、30V的电流、电压，RDS(on) = 2.0mΩtyp) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% 雪崩测试，提升了dv/dt能力，高可靠性，开关速度快，低导通内阻RDS(on)。更多尼克森PKC26BB替代料30v mos管SVG032R4NL5 参数及相关资料请向士兰微mos代理商骊微电子申请。>>

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