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ncp1342替代料PN8213氮化镓pd充电器芯片
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近年来，我国半导体在氮化镓、氮化硅领域发展迅速，芯片缺货问题，更是加快了国产GaN控制芯片发展的步伐，不少之前使用国外控制芯片方案商和终端厂商开始切换到国内企业的产品，芯朋微推出ncp1342替代料PN8213氮化镓pd充电器芯片，适用于65w氮化镓充电器芯片方案。
NCP1342替代料PN8213芯片特征
■ 内置高压启动电路
■ 供电电压9~57V,适合宽输出电压应用
■ Valley Lock：技术提高效率改善系统噪声
■ 最高工作频率外部可设置
■ 空载待机功耗<55mW@230VAC
■ 优异全面的�；すδ�。
在电路�；し矫�，PN8213芯片具有逐周期过流�；�、输入欠压�；�、输出过压�；�、输出开/短路�；�、DMG电阻短路�；�、次级整流管短路�；�、过负载�；�、双重过温�；さ�，提供全面的�；�，以防止电路在不正常情况下受到损坏，此外，还具有频率调制和智能驱动功能可使噪声最小化，从而改善EMI的性能。
ncp1342替代芯片PN8213在驱动、芯片供电、电路等都做了进一步的优化，将驱动集成于芯片内，能够直接供电给氮化镓芯片，工作电压在9V-57V，开关频率最高可达230KHz，能充分体现氮化镓的优势提高转换效率，对驱动电压进行过优化，可直接驱动E-GaN，外围电路更为简单，凭借其高度集成的芯片和简洁的电路，以及完整的解决方案，得到了众多快充厂商的认可。
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