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65W氮化镓GaN快充方案PN8783+PN8307P

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文章出处：骊微电子责任编辑：电源管理芯片人气：-发表时间：2022-11-08 11:02

　　65W氮化镓GaN快充方案由PN8783、PN8307P套片组成，PN8783具有卓越的环路稳定性、高功率密度、低待机功耗等明显优势。PN8307P采用自适应死区控制，支持反激变换器的DCM/QR工作模式，实现同步整流。

　　

　　一、方案概述　　

　　■ 小尺寸设计：51mm(L)X29mm(W)X20mm(H)　　

　　■ 输出规格：5V3A，9V3A，15V3A，20V3.25A　　

　　■ 高效率：满载效率94.0%（230V），满足CoC V5 Tier2能效规范　　

　　■ 低待机功耗：小于75mW　　

　　■ 宽供电范围：支持PD3.0协议

　　

　　二、芯片特性　　

　　PN8783 内置高性能700V GaN FET，典型转换效率大于93%；采用QR-Lock控制技术，大幅提高环路稳定性；最高支持500kHz工作频率，可以有效减小变压器及输出电容体积，显著提升充电器功率密度；内置800V高压启动管，待机功耗轻松满足75mW；同时具有优异全面丰富的�；すδ�。

　　

　　PN8307P内置100V/7mΩ智能MOSFET，快速关断+自适应死区控制提高MOSFET Rdson利用率，显著降低温升，专利轻载模式可降低待机功耗，具有超高性价比。

　　

　　三、DEMO实物图　

　

　　65W GaN快充方案demo如上图所示，尺寸仅为51mmx29mmx20mm，外围精简。

　　

　　四、原理图（功率部分）

　　

　　五、效率测试

　　

　　六、空载待机功耗

　　

　　七、EMC测试　　

　　● EMI传导、辐射满足EN55032 Class B标准要求，裕量均大于6dB　　

　　● ESD满足IEC 61000-4-2，8kV/15kV等级要求　　

　　● EFT满足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等级要求　　

　　● Surge满足IEC 61000-4-5:2005，2kV等级要求　　

　　● 交流绝缘满足3.75kVac要求。

　　

　　65W氮化镓GaN快充方案PN8783+PN8307P，采用精准锁谷底QR-Lock控制技术相比传统QR，整体工作频率更高、环路稳定性更佳，满载效率94.0%（230V），待机功耗小于75mW，更多GaN快充方案规格、线路图纸、变压器设计、测试数据及应用要点等资料，请向芯朋微代理骊微电子申请。>>

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